ウェーハ on Custom Infrared Heat Solutions

ウェーハ用高精度IRセンサー

Mon, 27 Jul 2026 09:07:31 +0800

ウェーハの表面でエネルギーを無駄にしないようにしましょう。
シリコンウェーハを加熱するとき、無駄になる1ワットごとが、実質的にはお金の損失となります。一般的な反射板はあまり効果的ではなく、エネルギーがターゲットに届かずに筐体内に逃げてしまいます。

ウェーハ加工装置用温度センサー

Mon, 27 Jul 2026 09:00:52 +0800

なぜウェーハを加熱するのに金が使われるのか
半導体ウェーハを加熱するとき、より多くの電力を使えばいいと思いがちです。しかし、実際に重要なのは単純なワット数ではありません。本当に重要なのは、そのエネルギーのうちどれだけが実際に基板に届くかということです。

省エネ型ウェーハヒーター

Sun, 19 Jul 2026 16:28:44 +0800

半導体製造工場における炭素排出量の削減：ウェーハを加熱するより効率的な方法
もし本当に半導体製造工場で炭素中性を実現したいのであれば、ウェーハの加熱や硬化のために無駄にエネルギーを消費することをやめなければなりません。

ウェーハ加熱時の安全距離

Wed, 15 Jul 2026 10:10:37 +0800

クラス100のクリーンルームを常に清潔な状態に保つ方法（ウェハーを加熱している間も）

クラス100の環境で作業を行うときは、ほこりと戦っているようなものです。わずかなほこりの粒子があっただけで、作業したウェハー全体が台無しになってしまいます。問題は、ウェハーを加熱するとき、危険なのは温度だけではないということです。実際には、ランプ自体が問題です。通常のガラスは高温になると壊れたり、有害なガスを放出したりしてしまい、それによってウェハーに汚染物質が付着してしまいます。そのため、私たちは高純度の合成石英を使用します。金属成分は一切含まれておらず、何の問題もありません。

「ゴールディロックス」距離

赤外線ランプをウェハーのすぐそばに置くわけにはいきません。そうすると、シリコンが変形するほどの高温部分ができてしまいます。さらに悪いことに、もしランプがウェハーに触れてしまったら、即座に汚染が起こります。適切な距離を見つけるのは少し難しいです。ランプを近づけすぎると、熱が集中してしまいます。一方で、300mmサイズのウェハー全体に均一な温度を得るためにランプを離すと、出力を上げたくなります。しかし、出力を過度に上げると、ランプが壊れてしまいます。

洗浄後のウェーハ乾燥ランプ

Fri, 03 Jul 2026 15:42:08 +0800

製造現場では、洗浄後にわずかな水分が残っているだけで、ウェーハが破損してしまいます。洗浄後の乾燥工程は単なる休憩時間ではなく、厳格な仕様が求められます。私たちは、ウェーハを迅速かつ適切に乾燥させるためのランプを開発しました。これにより、湿式洗浄直後に必要な熱制御が実現されます。

ウェーハ用中波赤外線ヒーター

Tue, 23 Jun 2026 01:00:20 +0800

製造現場において、加熱処理の工程こそが、熱的な制約条件を決定する重要な要素となります。ソフトベイクやハードベイクの温度が2°C変動するだけで、ウェーハの寸法に影響が出ます。また、加熱の過程で粒子が発生してしまうと、そのロットは廃棄されてしまいます。従来の加熱方式では、高度なノードで求められる微小な精度を実現することはできず、速度と制御の間で妥協しなければなりません。

実際に重要なのは何か 中波赤外線ヒーターは、エネルギーを直接ウェーハに送り込みます。そのスペクトラムはシリコンの吸収特性に合わせているため、迅速な熱応答と精密な安定状態の制御が可能です。私たちはウェーハ全体の均一性を±0.1°C以内に保ち、設定値もシフトごとに0.2°C以内の範囲内で安定しています。

ウェーハ硬化ランプ用反射器

Thu, 18 Jun 2026 04:44:02 +0800

ファブの現場では、フォトレジストを焼成する際にウェーハ全体で0.5℃もの温度差が生じると、線幅の制御がうまくいかず、結果として歩留まりが悪くなってしまいます。硬化ランプ内の反射板は、単なる部品ではありません。それは、工程を繰り返しても再現性のある熱分布を実現するための重要な要素です。

私たちは、ウェーハ硬化用ランプ用の反射板を設計する際に、±0.1℃の温度均一性を実現しました。これにより、ソフトベイクやハードベイクのプロセスも正確に実行されます。